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半導(dǎo)體器件參數(shù)測試方案

2023-06-12 [676]

靜態(tài)Static (DC) 測試: 客戶的設(shè)計目標(biāo)是優(yōu)化開關(guān)狀態(tài)下的電氣性能。泰克的SMU儀器、系統(tǒng)或參數(shù)曲線跟蹤器用于執(zhí)行諸如此類的關(guān)鍵測試.


與硅相比,測試WBG功率器件在更高的功率級別下需要更好的分辨率和更快的速度。測試可以分為兩大類

國內(nèi)第三代半導(dǎo)體現(xiàn)狀 • 

?SiC為代表的第3代半導(dǎo)體因其*的性能在裝備制造、5G、智能 電網(wǎng)、新能源汽車等行業(yè)收到了廣泛的熱捧。 

?當(dāng)前,我國在第三代半導(dǎo)體方面給予了很大的政策扶持,半導(dǎo)體技術(shù)和 歐美日韓等國家的差距在縮小但仍然較大。 

?SiC為代表的第3代半導(dǎo)體發(fā)展迅速,與Si器件相比性能顯著,但缺點 亦為明顯,成本和工藝等問題仍為目前大規(guī)模應(yīng)用的挑戰(zhàn)。 

?當(dāng)前是進(jìn)入第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的最佳窗口期,也是中國半導(dǎo)體技術(shù)與國外 追趕甚至超越歐美日韓等國家的寶貴時期。

?國際合作氛圍融洽,市場的多元性和需求梯度驅(qū)動第3代半導(dǎo)體發(fā)展明顯, 國內(nèi)外企業(yè)、機構(gòu)積極布局

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